‐40V/‐70A P Kanalverstärkungsmodus LeistungsmOSFET JY4P7M für Hochstrombelastung
Generell beschrieben
Der JY4P7M nutzt die neuesten Techniken der Schützengrabenverarbeitung, um die hohe Zelldichte zu erreichen und den Einschaltwiderstand mit geringer Torladung zu reduzieren.Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Hochstrom
Anwendungen mit Last.
Eigenschaften
● ‐40V/‐70A, RDS ((ON) ≤10mΩ@VGS=‐10V
● Hochdichte Zellentwicklung für ultra-niedrige Rdson
● Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom
● Ausgezeichnete Verpackung für eine gute Wärmeableitung
Anwendungen
● Lastschalter bei Hochstromanwendungen
● Stromverwaltung für Inverter
PIN-Beschreibung
Absolute Höchstwerte ((Tc=25oC, sofern nicht anders angegeben)
Elektrische Eigenschaften ((Ta=25oC, sofern nicht anders angegeben)